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非極性InGaN 量子井戸における偏光特性の既報告実験データの統一的解釈

机译:报告的关于非极性InGaN量子阱中极化特性的实验数据的统一解释

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摘要

A new method to obtain material parameters inversely from measured polarization properties has been developed, and we analyzed actual experimental data previously reported from various research groups. From these analyses, it is predicted that negative polarization degree (favorable for LDs with cleaved facet cavity mirrors) will be enhanced in blue- or green-InGaN quantum wells on lower-angle (30-40° inclined from the c-plane) semipolar planes. Furthermore, it is also suggested that the polarized emission can appear even in higher-angle semipolar planes for InGaN quantum wells with high In composition.%非極性InGaN 量子井戸の偏光特性の実験データから材料パラメータを逆算的に求める解析手法を開発した。その手法に基づいてこれまでに様々な研究機開から報告されている実験データを実際に解析した。その結果、青色~緑色発光のInGaN量子井戸ではぐ面から30~40°傾いた基板面方位の量子井戸において、負の偏光度(へき開面を共振器ミラーに用いるのに有利な偏光特性)が強く現れること、及び、この偏光特性がIn組成の高いInGaN 量子井戸では、より高角の半極性基板上でも現れることが予測された。
机译:提出了一种新的从测量的偏振特性逆获得材料参数的方法,并且我们分析了以前各个研究小组报告的实际实验数据,从这些分析中可以预测出负偏振度(有利于带有切割小面腔镜的LD)。在较低角度(从c平面倾斜30-40°)的半极性平面上的蓝色或绿色InGaN量子阱中,这种增强将得到增强。此外,还建议即使在较高角度的半极性平面中也会出现极化发射对于In含量高的InGaN量子阱,我们已经开发了一种分析方法,可以根据非极性InGaN量子阱的极化特性的实验数据来计算材料参数。基于该方法,我们实际上分析了各种研究机器报告的实验数据。结果,在发射蓝色至绿色的InGaN量子阱中,在衬底平面取向的量子阱中获得了负极化度(用于将分裂的表面用作腔镜的有利极化特性),该量子阱相对于分裂平面倾斜了30至40°。据预测,在具有高In组成的InGaN量子阱中,该偏振性质将强烈地出现,并且该偏振性质也将出现在较高角度的半极性衬底上。

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