1×N型アクティブMMIによる単一波長レーザー発振

摘要

We developed an SOA gate array switch module with a novel polarization-insensitive built-in array isolator. We achieved excellent optical coupling characteristics that had insertion losses of about 3 dB and high-isolation of over 45 dB in 80 nm wide wavelength ranges.%昨今の光通信技術の発展に伴い，高出力・低コストの次世代光源が期待されている．我々は，1×N型アクティブMMI（multi-mode-interferometer）レーザー構造により，グレーティングを用いることなく，縦モード干渉のみに基づく単一波長発振光源の実現を検討している．現在単一波長光源として広く使用されているDFB（distributed feedback）レーザーと比較して，アクティブMMIレーザーは，これまでに報告されてきた高光出力特性に加え，グレーティングを必要としないことから低コスト化が見込まれる．今回単一波長発振を確認するため，1×3型アクティブMMレーザーを検討し，試作をおこなった.その結果，初めて単一波長発振（λ＝1.5μm，SMSR＞12dB）の確認に成功したので報告する．