ナノインプリント法を用いた段差型有機トランジスタの作製

摘要

The reduction of channel length is one of the effective approaches to achieve the low operation voltage and large current. We have fabricated the step-edge vertical channel organic field-effect transistors (SVC-OFET) using nanoimprint lithography (NIL) and measured their FET characteristics. A short channel with sub-micrometers can be easily achieved by forming the channel on the side wall of the step-edge structure by the simple NIL process. Pentacene and 6,13-bis(triisopropyl-silylethynyl)pentacene (TIPS-pentacene) films used as organic semiconductors were formed by a vacuum evaporation and a drop casting method, respectively.%有機トランジスタを低駆動電圧、大電流で動作させるためには短チャネル化が有効である。そこで我々は、段差構造を利用することで容易にサブミクロン長の短チャネルを実現することができる段差型有機トランジスタ（SVC－OFET）を作製し、その素子特性を調べた。特に本研究では、段差を形成する手段としてナノインプリント法を用いた。ナノインプリント法は微細加工を比較的簡単に行うことができるため、SVC－OFET を簡便に作製することができる。SVC－OFETの有機半導体層には、蒸着法で成膜したペンタセンと塗布法により成膜したTIPS-ペンタセンの二種類を用いており、各素子ともにFET 動作を確認することができた。