波長1.2μm帯高密度量子ドットDFBレーザの研究開発

摘要

光アクセス系で導入が進められている10G-EPONなどの次世代10ギガビット級PON（Passive Optical Network）システムにおける上り用光源への適用に向けて，波長1.27μm帯量子ドットDFBレーザの研究開発を行っている.高密度量子ドットの適用による高利得化及び共振器長の調整によって光出力の向上を図り，-10℃から85℃において，単一モード発振での温度安定な電流一光出力特性と，+4.5dBmと高いファイバ光出力条件での10.3Gb／s直接変調動作を実現した．%1.27-μm high-density quantum-dot (QD) DFB lasers for access network applications such as 10G-EPON are presented. Fabricated QD DFB lasers show temperature-stable light-current characteristics with stable single-mode oscillation. Furthermore, owing to the high optical gain of QD active layers and long cavity design, 10.3-Gb/s operations with a high averaged output power of + 4.5 dBm are demonstrated in the temperature range of -10℃C to 85℃.