結合伝送線路を用いた12Gb/s非接触インタフェース

摘要

本論文では非接触メモリインタフェース向けの手法を提案する。結合伝送線路を用いた手法により、従来の誘導結合を用いた手法に比べ広帯域を実現する事が出来た。この結果、単ーチャネルで高速なデータ伝送を達成できる。試作した送受信機は、1mmの通信距離の下、12Gb/sの伝送速度でBER＜10~（-13）を達成した。%This paper presents the novel approach for high speed non-contact memory card interfaces. The proposed scheme using coupled transmission lines achieves much wider bandwidth than conventional inductive coupling. The test chip achieves BER<10~(-13) at operating 12Gb/s with single channel at the communication distance of lmm.