InP/InGaAs新構造Avalanche photodiodeの高増倍率動作

摘要

アバランシェフオトダイオード（APD）は，一般的なフォトダイオードと比較して高い動作電圧を必要とし，信頼性を確保するため，素子内部にのみ電界を閉じ込める構造が必要である．これを実現するために，これまでにイオン注入や選択拡散など，複雑な作製工程を必要とする構造が提案されている．我々は，より簡易なプロセスでこの電界閉じ込めを実現可能な新構造のAPDを考案し，作製した素子で高い電界閉じ込め効果を確認するとともに，従来素子と比較して遜色ない特性を得た．%Due to higher voltage operation than that of conventional photodiodes (PDs), electrical field need to be confined inside the device for highly reliable avalanche photodiodes (APDs). To improve their reliability, several device structures with using selective diffusion or ion implantation techniques have been demonstrated. However, they make their fabrication processes complex. This paper describes a new structure of APD that highly confines electric field inside the device, which is fabricated by simpler processes. Fabricated APD has comparable characteristics to the conventional APDs.