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フォトニック結晶を用いた光RAM用メモリ素子の小型化に関する研究: フォトニック結晶における多モード光干渉(MMI)現象の基礎的検討

机译:使用光子晶体的光学RAM存储设备的小型化研究:光子晶体中的多模光学干扰(MMI)现象的基础研究

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摘要

We have proposed active multi-mode interferometer (active MMI) bi-stable laser diode (BLD) using lateral mode bi-stability for future highly integrated optical random access memory (RAM) application. For further size reduction, we have made a fundamental analysis to exploit 2 dimensional photonic crystal waveguide for the active MMI BLD. As the photonic crystal waveguide is no more index guided waveguide, the theoretical equation of multi-mode interference (MMI) is not utilized simply to it. So far, quasi-guided index model for the photonic crystal have been proposed instead, therefore, we have exploited this model for the MMI analysis on 2 dimensional photonic crystal waveguide even for the self-imaging of 1st order propagation mode input. As the results, we have confirmed the folio wings; (1) 1st order mode, as well as fundamental mode, behave just according to the model on the liner condition in the dispersion relation of the photonic crystal, (2) Based on the model, compact size of less than 1/25 is possible compared to the previously reported active-MMI BLD.%将来の高集積化が可能な光RAM(Random access memory)素子を実現するために,小型化が可能な光RAM素子の候補として横モード間(0次-1次モード間)双安定アクティブMMI(multi-mode interferometer)レーザーを提案している.更なる小型化への検討として,フォトニック結晶導波路適用のための基礎的検討を行った.今回検討対象とした二次元フォトニック結晶導波路に対しては,屈折率導波に基づくMMI(multi-mode interference)理論式をそのまま適用して導波路設計することができない為,仮想的な屈折率差を用いた理論式がこれまで提案されている.そこで本報告では,二次元フォトニック結晶導波路において,0次モードだけでなく,1次モードの自己結像についてもこの仮想的屈折率差に基づくMMI理論式が適用できるかどうか検討した.その結果,(1)0次モード,1次モード共に,分散曲線が線形変化する範囲であれば,仮想的屈折率差に基づくMMI理論式が適用できる,(2)前記(1)に基づき,従来報告の1/25以下の素子サイズで横モード間双安定型アクティブMMIレーザーの設計が可能である,ということを確認したので報告する.
机译:我们已经提出了使用横向模式双稳定性的有源多模式干涉仪(Active MMI)双稳态激光二极管(BLD),用于未来的高度集成的光学随机存取存储器(RAM)应用。为了进一步减小尺寸,我们进行了基础分析,以将二维光子晶体波导用于有源MMI BLD。由于光子晶体波导不再是折射率引导波导,因此不能简单地将其用于多模干涉(MMI)的理论方程式。到目前为止,已经提出了光子晶体的准导引模型,因此,即使对于一阶传播模式输入的自成像,我们也已经将该模型用于二维光子晶体波导的MMI分析。结果,我们确认了作品集的翅膀; (1)一阶模式以及基本模式在光子晶体的色散关系中仅根据衬里条件下的模型表现,(2)基于该模型,紧凑尺寸可能小于1/25相较于先前报告的主动MMI BLD。%将来の高集积化が可能な光RAM(随机存取存储器)素子を実现するために,小型化が可能な光RAM素子の候补として横モード间(0次-1次moード间)双安定アクティブMMI(多模式干涉仪)レーザーを对准している。 MI象とした二次元フォトニック结晶导波路に対しては,屈折率导波に基づくMMI(多模干涉)理论式をそのまま适用して导波路设计することなきない为,仮想的な屈折率差そこで本报告では,二次元フォトニック结晶导波路において,0次モードだけでなく,1次モードの自己结像についてもこの仮想的屈折率差に结果,(1)0次モーモ,1次モーモ共に,分散曲线が线形変化する范囲であれば,仮想的屈折率差率基にMMI理论式が适用2きる,(2)前记(1)に基づき,従来报告の1/25以下の素子サイズで横モード间双安定型アクティブMMIレーザーのーが设计が可能である,ということを确认したので报告する。

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