半導体多層膜結合共振器によるテラへルツ光発生

摘要

新たな面型テラへルツ波発生素子として半導体微小共振器を二つ連結した半導体結合共振器構造を提案した。この結合共振器構造では、高い反射率を有するストップバンド内に、周波数差がテラへルツ帯にある二つの共振器モードを実現できる。従って、二つの共振器モードを同時励起することで、二次非線形光学効果の差周波発生によるテラへルツ波発生が期待できる。GaAs/AlAs結合共振器構造の作製と超短パルスレーザ励起による二つの共振器モードの和周波発生·テラへルツ帯差周波発生について報告する。%We have proposed GaAs/AlAs coupled multilayer cavity structure as terahertz (THz) emission devices. In the structure, the two cavity modes are realized in the high reflection stop band, and the strong THz difference-frequency generation (DFG) signals of the two cavity modes is expected due to the second-order nonlinear optical effect. In this work, we report on the fabrication of the GaAs/AlAs coupled multilayer cavity structures and the observations of the sum-frequency generation (SFG) and THz DFG of the two cavity modes using the excitation of ultrafast laser pulses.