テクスチャシリコンへのレーザードーピングにおける基板: ドーパント間の界面制御による電子状態の改善

摘要

The laser doping (LD) has many attention because it enable improvement of the cell efficiency and reduction of the cost of production. However, if substrate applied to LD had surface roughness, the cratered defects were generated after LD and it became recombination center. In this study, we changed interface condition from hydrophobic to hydrophilic in order to apply LD to textured silicon substrate. In the result, the interface adhesion between dopant and substrate was strengthened and we achieved reduction of surface roughness, and improvement of photovoltaic characteristic.%レーザードーピング(LD)は高効率結晶Si太陽電池の簡便な作製プロセスとして注目される。しかし隆起形状を持つ基板にLDを適用すると、表面が粗く変形し、再結合中心が発生した。そこで本研究ではテクスチャ構造を持つ基板にLDを適用し、基板表面の化学的結合状態を疎水性から親水性に変化させた。その結果基板ードーパント界面の密着性が強化され、ドーピング後の表面の粗さが軽减されるとともに太陽電池特性を改善させることを確認した。