Tunnel FETの非局所モデリング: デバイスモデルと回路モデル

摘要

非局所バンド間トンネルモデルに基づき、トンネルFETのデバイス及び回路モデルの基礎を開発した。 デバイスでモデルでは非局所モデルの実現方法による差異を検討した。回路モデルでは非局所なトンネル距離の見 積りを、簡単な仮定の導入によって実現した。それぞれ実測と同等の電気特性を確認し、物理モデルに基づくトン ネルFETのデバイス及び回路を検討する基礎を築いた。%Device and compact models for tunnel-FETs are developed based on nonlocal band to band tunneling model. For device modeling, some implementation variations are discussed. For compact modeling, nonlocal effects are considered by introducing simple assumptions. Both models are consistent with experimental results, and provide basics of physics-based device and compact design tools for tunnel-FETs.