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電界遮蔽効果と直列抵抗を同時に考慮した電界電子放出特性の検討

机译:同时考虑电场屏蔽效应和串联电阻的场电子发射特性研究

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摘要

To estimate the effects of series resistance on the field emission current associated with an array of carbon nanotubes (CNTs) and nanowalls (CNWs), the model of the floating spheres or lines between anode and cathode plates was proposed. An approximate formula for the field enhancement factor was derived, showing that the series resistance of a CNT array critically affects the field emission of vertically aligned carbon nanotube cathode, and the effect of the series resistance was not the limiting factor to the emission current in the arrayed CNWs cold cathode.%ナノ力ーボン材料を用いた冷陰極の開発を目的に,絶縁膜中に力ーボンナノチューブ(CNT)を分散させた構造を提案し,CNT濃度と先端近傍の電界分布の関係を浮遊球モデルを用いて近似計算を行った.CNT自体の抵杭の影響も考慮して計算した結果,力ーボンナノチューブ(CNT)を基盤に対し垂直に配向したェミッタは直列抵抗の影響が大きく,印加電界の増加に伴い放出電流密度が飽和してしまうことが分かった.また,カーボンナノウォール(CNW)を基板に対して垂直に配向したェミッタでは,直列抵抗の影響が少ないことが分かった.
机译:为了估计串联电阻对与碳纳米管(CNT)和纳米壁(CNW)阵列相关的场发射电流的影响,提出了阳极板和阴极板之间的浮球或线模型。推导了增强因子,表明碳纳米管阵列的串联电阻严重影响垂直排列的碳纳米管阴极的场发射,并且串联电阻的影响不是限制阵列式CNW冷阴极发射电流的限制因素。%为了开发使用纳米碳材料的冷阴极,我们提出了一种结构,其中碳纳米管(CNT)分散在绝缘膜中,并以浮球模型的形式显示了CNT浓度与尖端附近电场分布之间的关系。使用该结果进行近似计算,考虑到碳纳米管本身的影响,碳纳米管(CNT)垂直于基板取向的发射极受到串联电阻和施加的电场的极大影响。发现发射电流密度随着增加而饱和,并且串联电阻受碳纳米壁(CNW)垂直于基板定向的发射极的影响较小。

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