AR-XPS及びHAX-PESによるSiO_2/SiC界面の化学結合状態評価

摘要

熱酸化により形成したSiO_2/SiC界面を角度分解X線光電子分光(AR-XPS)および硬X線光電子分光(HAX-PES)測定により評価した。その結果、界面にシリコンサブォキサイドが存在すること、C 1sスぺクトルの詳細な解析から、SiC中のC-C結合およびSiO_2中の炭素に起因すると考えられる信号が見られることを見出した。%We investigated on the chemical bonding states of thermally oxidized SiO_2/SiC in detail by the angle-resolved X-ray photoemission spectroscopy and Hard X-ray photoemission spectroscopy. Analyses of Si 2p, C 1s and O1s spectra show that the signal arising from sub-oxide is detected, and that the signals related carbon in SiO_2 and C-C in SiC are detected.