InAs/InGaAs量子ドット構造を用いた広帯域量子ドット光ゲインデバイスの開発

摘要

Significant expansion and effective use of optical frequency resources are expected to be an important technology for future optical communication. Recently, we focused on a development of the novel optical frequency resource in a Thousand-band (T-band; 1000-1260nm), and O-band (1260-1360nm). Optical gain devices with InAs/InGaAs quantum dot (QD) structure are considered to be useful photonic gain material in those wavebands. In this paper, we investigated broadband QD optical-gain material using the sandwiched sub-nano separator (SSNS) which provides a high quality QD and a modulated structures. We also constructed wavelength-tunable QD light source using the broadband QD optical-gain material. As a result, a broadband wavelength-tunability was successfully demonstrated in the 1.2-1.3 μm wavebands.%新たな光周波数資源の開拓は,将来の光情報通信容量拡大の基盤技術となる.我々は,光情報通信応用を目的とした新周波数帯域としてT-band(1000-1260nm)とO-band(1260-1360nm)に注目し,この帯域で動作する光ゲインデバイスの研究開発を推進している.今回,GaAs基板上にInAs/InGaAs量子ドットを積層させたものとInAs/InGaAs量子ドット上のギャップ層を制御し変調量子ドッ卜構造を持たせた二種類の光ゲインチップを作製した.この光ゲインチップを外部共振器機構に組み込み波長可変光源を構築した.結果,ゲイン材料にInAs/InGaAs量子ドットを用い広帯域利得を得ることで1.2μm-1.3μm帯で動作する広帯域波長可変光源の開発に成功した.