電圧センスアンプを用いたReRAMの多値化のための読み出し•書き込み回路

摘要

ReRAMの多値化に向け，既存の電圧センスアンプを利用した読み出し回路を提案する.ReRAM素子のビット線とグランドの間に直列抵抗を挿入し，直列抵抗に加わる電圧とリファレンス電圧を比較する.この回路方式では，複数のセンスアンプとリファレンス電圧を用いることにより，ReRAMに多値記録された抵抗を1サイクルで読み出すことが可能となる.また，書き込み動作において，読み出した結果を用いて多重書き込みを自動で回避し，無駄なエネルギーを削減することも出来る.%For multi-level ReRAM memory, a novel read circuit using a VSA (Voltage Sense Amplifier) is proposed. This circuit compares readout voltage to reference voltage by auxiliary serial resistance between bit line and ground. In this circuit, it becomes possible to read multi-level resistance of ReRAM by using multiple sense amplifiers for 1 cycle. For write operation, this circuit is able to evade the wasteful overwrite operation to reduce the wasteful energy.