ナノ CMOSデバイスを用いた擬似スピンMOSFETの設計と性能

摘要

The design and performance of pseudo-spin-MOSFETs (PS-MOSFETs) using nano-CMOS devices were computationally investigated. The operations of a PS-MOSFET with current-induced magnetization switching were also experimentally demonstrated by the hybrid integration of a vendor-made MOSFET and our-developed spin-transfer-torque magnetic tunnel junction. The nonvolatile SRAM and delay flip-flop applications of PS-MOSFETs were also examined, and nonvolatile power-gating architecture using these circuits was developed.%本論文では，ナノCMOS技術を用いた擬似スピンMOSFETの性能評価と設計法の確立を行った.ま た，ベンダーMOSFETと我々が開発したスピン注入磁化反転MTJをハイブリッド集積化することによって擬似スピン MOSFETを作製し，擬似スピンMOSFETの動作検証•機能実証を行った.さらに，擬似スピンMOSFETを応用した 不揮発性SRAMおよび不揮発性ディレイフリップフロップを検討し,これらを用いた不揮発性パワーゲーティングのア ーキテクチヤを開発した.