Kinetic studies on the current collapse of a normally-off AlGaN/GaN heterostructure field effect transistor under a high voltage have been performed above room temperature. The on-state resistance after the on switching from the off state increases at high temperatures, contrary to the expectation that the emission of electrons is enhanced at elevated temperatures. This result indicates that elevating the temperature enhances not only the emission of electrons but also their capture. We experimentally observe that the enhancement of the capture process at high temperatures originates from the energy barrier for the capture of electrons, the value of which is determined to be 0.17±0.04 eV. The origin of the energy barrier for the capture process is explained by a configuration coordinate diagram.%ノーマリオフ型AlGaN/GaNヘテロ構造電界効果トランジスタにおける，高電界印加時の電流コラプスの発現メカニズムについて詳細に調べた。デバイスをオフからオンへスイッチングした直後のオン抵抗の測定結果によると，温度上昇に伴い電流コラプスが増大することがわかった。この結果は，温度が上昇すると電子の放出過程が促進され，電流コラプスが抑制されるという当初の予想とは逆の結果である。我々はこの原因について詳細に調べ，温度の上昇により電子の放出過程が促進されるだけでなく，電子の捕獲過程が同時に促進されることを見出した。また，電子の捕獲過程においてエネルギー障壁が存在することを明らかにし，その大きさを0.17±0.04 eVと決定した。このエネルギー障壁が生じる原因については，配位座標モデルにより説明し，電子と格子の強い相互作用により生じていると結論した。
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