45nm/32nm世代ULSl対応の最先端配線技術

摘要

45nm/32nm世代LSIでは，多層配線の層間経縁膜には，自己整合反応を利用してナノレベルで空孔構造が削御されたrn多孔質Low-k膜が導入される．また，Cu配線金属もナノレベルの構造制御がなされる．45nm/32nm世代LSlデバイスrnの高性能化及び高信頼性化には，材料物理化学に基づいた材料物性制御が必要不可欠となる．