カーボンナノチューブ/グラフェンによる電気ィンタコネクション技術

二瓶瑞久

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カーボンナノチューブ/グラフェンによる電気ィンタコネクション技術

机译：碳纳米管/石墨烯电连接技术

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近年注目を集めているカーボンナノチューブ(CNT)やグラフェンといったナノカーボン材料は，Siと比べて移動度1,000倍，飽和速度10倍という優れた特徴を持つことから，グリーン·ナノエレクト口二クスをけん引する超低消費電力LSI実現の鍵となる材料として期待されている.これらの材料は構造の制御によって半導体的にも金属的にも振る舞うため，CMOS トランジスタチヤネル材料として期待があり，同様に銅(Cu)に代わる新たなLSI配線材料としての可能性がある.

机译：近年来，诸如碳纳米管（CNTs）和石墨烯之类的纳米碳材料具有极高的迁移率，其迁移率是Si的1000倍，饱和速度是Si的10倍。这些材料有望成为实现超低功耗LSI的关键材料。由于通过控制结构，这些材料的行为类似于半导体和金属，因此它们有望用作CMOS晶体管沟道材料和铜（它有潜力作为替代铜的新型LSI布线材料。

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来源
《電子情報通信学会誌》 |2011年第12期|p.1033-1036|共4页
作者
二瓶瑞久;
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作者单位

独立行政法人産業技術総合研究所連携研究体グリーンナノエレクトロニクスセンター;

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