低消費電力•高性能デバイスを実現する22 nmトランジスタ技術

摘要

デバイスの高性能化,低消費電力化,低コスト化はムーアの法則によ,って進められてきた.22nmで実用化したトライゲートトランジスタは,チャネルを立体化し,3方向からチャネルでゲートを囲う構造である.そのため,電荷の制御性が良く,短チャネル効果の抑制が可能になっている.更に低電圧領域でのトランジスタ性能を改善し,動作電圧を下げることを可能にしたので,消費電力を大幅に削減できる.本稿では,トライゲートトランジスタの構造,特長を概観し,高性能サーバ用デバイスから低消費電力携帯機器用デバイスまで柔軟に対応できることを説明する.更に14nm以降の研究開発動向について解説する.