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パワーエレクトロニクス回路における雑音低減法

机译:电力电子电路的降噪方法

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摘要

近年,MOSFETやIGBTなどの半導体スイッチを用いたパワーエレクトロニクス回路が増加している.これらは小形•軽量•高効率で,高い制御性を持つ.省エネルギーなどの環境問題に対する人々の関心が高まるに伴い,その具体的な解決手段として注目されており,研究開発が続けられている.
机译:近年来,使用半导体开关(例如MOSFET和IGBT)的电力电子电路的数量增加了,它们体积小,重量轻,效率高,可控性高。随着人们对诸如节能等环境问题的兴趣日益增加, ,作为一种具体的解决方案正在引起人们的注意,并且研究与开发仍在继续。

著录项

  • 来源
    《電子情報通信学会誌》 |2014年第6期|449-454|共6页
  • 作者

    庄山正仁;

  • 作者单位

    九州大学大学院システム情報科学研究院電気システム工学部門;

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  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 jpn
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