トレンチゲートFS-IGBTのターンオン特性に与えるフローティングpベースの影響

摘要

フローティングpベースを備えたトレンチゲートFS-rnIGBTにおいて,フローティングpベースの電位V_Fとそのrn時間変化dV_F/dtがターンオンの過渡特性を決める最も重要rnなパラメータであり,dV_F/dtはフローティングpベースにrn出入りする複数の電流成分に支配されることが分かった。