Zro_2添加のzno パリスタの耐課電劣化特性への影響に関する研究

摘要

ZnO パリスタの課電劣化の原因として，電圧を印加するrnことにより，粒内および粒界に存在する酸化物イオンや格rn子間亜鉛イオンの移動に伴って粒界付近で電子・正孔が再rn分布し，また添加不純物原子の原子価が変化するために粒rn界障壁に歪みが生じるためと報告されている。格子間rnZn~(2＋)イオンは粒内での移動度が130～187kJ/mol%で，酸化物rnイオンの156～184kJ/mol%と同程度である。また両イオンのrn生成エネルギーも同程度であるので，両イオンは課電劣化rnの要因と考えられるイオンの移動を考える上で重要な役割rnを担っていると予想される。