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ZrおよびY添加のZnO バリスタの課電劣化への影響

机译:Zr和Y添加对ZnO压敏电阻电压降级的影响

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摘要

The effects of the addition of Y or both Y and Zr to Bi-Mn-Co-Sb-Si-Cr-Ni-added ZnO varistors (the same composition as one of rcommercial varistors) on the varistor voltage and the tolerance characteristics of electrical degradation were investigated. rThe tolerance characteristic of electrical degradation was deteriorated rapidly by addition of Y of more than approximately 1 rmol%. The degree of deterioration for addition of both Zr and Y was smaller than that for addition of only Y. Moreover, the rnumber of formed spinel (Zn_(2.33)Sb_(0.67)O_4)-type particles monotonically increased with increasing amount of Y. On the rother hand, the number of formed willemite (Zn_2SiO_4)-type particles decreased by addition of Y of more than approximately 1 rmol%. It was suggested that the deterioration of the tolerance characteristics of electrical degradation by the addition of Y ris probably caused by an increase in the number of willemite-type particles. Moreover, it was suggested that the reduction in rthe average ZnO grain size due to the addition of Y was a major factor in the increased varistor voltage and the ZnO grain rgrowth was inhibited by the formation of an unknown compound, of which main ingredients are Y, Zn, and Sb or Y, Zr, Zn, and rSb, after adding Y. The varistor voltage of a varistor with 2 mol% added Y increased by approximately 50% compared to a rvaristor with no Y added. A ZnO varistor with a varistor voltage of approximately 600 V/mm and excellent tolerance rcharacteristics of electrical degradation was fabricated by adding approximately 1.25 mol% Y and approximately 0.45 mol% Zr rto a Bi-Mn-Co-Sb-Si-Cr-Ni-added ZnO varistor.%耐課電劣化特性の良好な酸化亜鉛(ZnO)パリスタにはrn様々な添加物が添加されており,添加物やZnとの間の相互rn作用によって耐課電劣化特性を向上させている。そこrnで,従来報告されている耐課電劣化特性が良好なZnO バリrnスタを作製し,そのバリスタに添加されている添加物の量rnを変化させると,その添加物とほかの添加物の間に働く相rn互作用が変化し,耐課電劣化特性へ影響を与えることが予rn想される。
机译:在添加Bi-Mn-Co-Sb-Si-Cr-Ni的ZnO压敏电阻(与商业压敏电阻之一组成相同)中添加Y或Y和Zr两者对压敏电阻电压和电气公差特性的影响研究了降解。通过添加大于约1rmol%的Y,电降解的耐受特性迅速劣化。 Zr和Y的添加的劣化程度小于仅Y的添加的劣化程度。此外,形成的尖晶石(Zn_(2.33)Sb_(0.67)O_4)型粒子的r数随Y的增加单调增加。另一方面,通过添加大于约1rmol%的Y,形成的硅铝石(Zn_2SiO_4)型颗粒的数量减少。有人认为,添加Y ris可能会导致电降解的耐受特性变差,这可能是由硅铝石型颗粒数量增加引起的。此外,有人提出,由于添加了Y,导致平均ZnO晶粒尺寸的减小是压敏电阻电压增加的一个主要因素,并且通过形成未知化合物(其主要成分为Y)抑制了ZnO晶粒的生长。 ,Zn和Sb或Y,Zr,Zn和rSb,添加Y之后。添加了2 mol%的Y的压敏电阻的压敏电压与不添加Y的压敏电阻相比增加了约50%。通过向Bi-Mn-Co-Sb-Si-Cr-Ni中添加约1.25 mol%的Y和约0.45 mol%的Zr r来制造压敏电阻电压约为600 V / mm且具有优异的电降解容限特性的ZnO压敏电阻ZnO压敏电阻。%耐课电校准特性の良好な酸化亜铅(ZnO)パリスタにはrn様々な添加物が添加されており,添加物やZnとの间の相互作用によって耐课电取向特性そこ向上させている。そこrnで,従来报告されている耐课电串行特性が良好なZnOバリrnスタを作制し,そのバリスタに添加されている添加物の量rnを変化させると,その添加物とほかの添加物の间に働く相rn互作用が変化し,耐课电串行特性へ影响を与えることが予rn想される。

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