高移動度チャネルを有するひずみSi-on-insulator／ひずみSiGe-on-insulatorデュアルチャネルCMOSの作製と電気特性

摘要

酸化濃縮技術をベースとし，ひずみSOI-nMOSFET（あるいはSOI-nMOSFET）とひずみSGOI（GOI）-pMOSFETからなるデュアルチャネルCMOSを作製した。CMOSの各チャネルにおける移動度を評価した結果，nチャネルで1.7倍，pチャネルで2.1～4倍の移動度増大が得られた。得られた増大係数より，24％～30％のCMOSインバータのτ_(pd)の短縮が見積もられた。以上の結果より，本研究で提案しているデュアルチャネルCMOS構造および酸化濃縮プロセスはVLSIの性能向上に有効であると考えられる。