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机译:Sr 3 sub> NbGa 3 sub> Si 2 sub> O 14 sub>和Sr 3 S>的形状控制晶体生长微拉法制备sub> TaGa 3 sub> Si 2 sub> O 14 sub>压电晶体
Institute for Material Research, Tohoku University, Sendai, Japan;
机译:微拉法生长形状受控的Ca_3NbGa_3Si_2O_(14)和Sr_3NbGa_3Si_2O_(14)单晶及其物理性质
机译:微拉法生长Ca_3NbGa_3Si_2O_(14)压电单晶的退火效应
机译:通过微下拉法控制形状的La_3Ta_(0.5)Ga_(5.5)O_(14)单晶的晶体生长和物理性质
机译:Sr
机译:基于CA3TAGA3SI2O14和YCA 40(BO3)3单晶的高温压电散装声波传感器
机译:不同Al浓度的Ca3Nb(Ga1-xAlx)3Si2O14压电单晶的晶体生长
机译:SR3NBGA3SI2O14(SNGS)和LA3TA0.5GA5.3A10.2O14(LTGA)晶体光学闪烁应答的比较研究