机译:硬开关全Si,Si-SiC和全SiC器件组合在开关损耗和EMI产生之间权衡的实验研究
Electrical Energy Management Group, Department of Electrical and Electronic Engineering, University of Bristol, Bristol, U.K.|c|;
Electromagnetic compatibility; electromagnetic interference (EMI); insulated gate bipolar transistors (IGBTs); silicon carbide (SiC); variable-speed drives;
机译:基于全硅和全碳化硅功率器件的隔离式双向DC-DC转换器在下一代功率转换应用中的实验比较
机译:通过有源电压控制研究高斯S形高斯IGBT开关瞬态中开关损耗与EMI产生之间的权衡
机译:谐振负载下软开关和硬开关IGBT的红外热成像功率损耗和电流分布研究
机译:软开关和硬开关逆变器中的损失
机译:基于SiC和GaN器件的超快速开关电源电路的EMI建模和表征。
机译:HfO2 / Al2O3超晶格在透明ITO /玻璃基板上阈值开关装置的阈值电压调节研究
机译:开关转换器装置的EMI分析和抑制技术研究
机译:金属氧化物(mOX)Nb02抑制器件的输运,二极管和开关特性研究