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机译:极端温度范围电子产品的SiGe精密电压基准的质子容差
BiCMOS analogue integrated circuits; heterojunction bipolar transistors; proton effects; 200 GHz; 293 to 298 K; 50 GHz; 77 K; BiCMOS analog integrated circuits; SiGe BiCMOS precision voltage references; SiGe bandgap references; SiGe mixed-signal circuits; cryogenic;
机译:X射线和质子辐照对SiGe精密电压基准性能的影响比较
机译:Ge分级对SiGe HBT精密电压基准的偏置和温度特性的影响
机译:适用于极端辐射环境仪器系统的宽温度,耐辐射,CMOS兼容精密电压基准
机译:用于极端温度范围电子产品的SiGe BiCMOS精密电压基准
机译:超低压数字电路和极限温度电子设计。
机译:通过电压门控质子通道的质子渗透的温度依赖性
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机译:在极端温度下表征低噪声,精密电压基准REF5025-HT