机译:沟槽型功率MOSFET中单重离子引起的微剂量损伤的表征
Japan Aerospace Exploration Agency, Tsukuba, Ibaraki, Japan;
Heavy ions; microdose; power MOSFETs; single-event effects;
机译:重离子辐照导致功率MOSFET潜在损坏的研究
机译:重离子的核反应导致功率MOSFET的单事件烧坏
机译:AlGaN / GaN HEMT中观察到的由重离子引起的单事件损伤
机译:功率沟槽MOSFET中微剂量引起的漏极泄漏效应:实验和建模
机译:用于功率IC应用的硅横向沟道功率MOSFET
机译:具有多个外延层的150–200 V分离栅沟道功率MOSFET
机译:用于对功率MOSFET的单事件烧毁进行建模的重离子产生电流灯丝的特性