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机译:单事件电荷收集和40nm双阱和三阱批量CMOS SRAM的失电
Department of Electrical Engineering and Computer Science, Vanderbilt University, Nashville, TN, USA;
Dual-well; SRAM; multiple-node charge collection; pulse quenching; reinforcing charge collection; single-vent upset reversal; soft error; triple-well;
机译:40nm CMOS 6 T SRAM单元中的新型单事件翻转
机译:在标称电压下工作的45nm和28nm大容量基于CMOS SRAM的FPGA中电子引起的单事件翻转
机译:控制逻辑扰动和多节点电荷收集对40 nm CMOS中的触发器SEU横截面的贡献
机译:40 nm双阱和三阱体CMOS SRAM中电荷限制和角冲击的影响
机译:批量CMOS中未硬化和硬化触发器的单事件翻转技术缩放趋势
机译:电源电压对双阱和三阱28 nm CMOS SRAM多单元翻转软错误敏感性的影响
机译:CmOs sRam中单粒子翻转的分析模型和实验结果比较