外延双阱CMOS倒相器的性能及制造工艺

摘要

本文以倒相器为实例,较详细地介绍3微米设计规则的外延双阱 CMOS 器件,通过理论分析,计算机模拟、工艺实验及参数测试研究,分析阱的注入剂量,阱深和杂质分布的关系,探索工艺参数的优化设计,研究外延双阱 CMOS 倒相器的速度特性和抗闩锁能力。