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机译:通过单光子和双光子激光测试技术直接比较SOI器件中的电荷收集
Sandia National Laboratories, Albuquerque, NM, USA;
机译:重离子和脉冲激光辐照下纳米尺度SOI器件电荷收集机理的机械应变和硅膜厚度比较分析
机译:Si外延层和SOI器件中离子诱导的电荷收集的比较
机译:在几个探针波长上的测试微电子设备上的热反射率测量:CCD和聚焦激光技术之间的比较
机译:机械应变对重离子和脉冲激光辐照下纳米尺度SOI器件电荷收集机制的影响
机译:在室温下通过直接脉冲激光结晶和直接脉冲激光重结晶技术处理的高效且经济高效的薄膜太阳能电池。
机译:使用与时间相关的单光子计数在样品平面上测量双光子显微镜的超快激光脉冲持续时间
机译:通过脉冲激光双光子吸收证明SiC功率MOSFET中的增强电荷集合参见实验