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机译:超大规模超薄沟道纳米线(NW)全能栅极(GAA)InGaAs MOSFET中的总电离剂量(TID)效应
Electrical Engineering Department and the Center for Research on Interface Structures and Phenomena (CRISP), Yale University, New Haven, CT, USA;
noise; InGaAs; TCAD simulation; border traps; gate-all-around; high-k dielectric; nanowire; oxide traps;
机译:源极/漏极和沟道凹陷的超薄体绝缘体上绝缘子(GOI)无结CMOSFET中的总电离剂量(TID)效应
机译:具有基于La的外延栅极电介质的GaAs MOSFET中的总电离剂量(TID)效应
机译:具有高k栅极电介质和INP基板的InGaAs MOSFET中的全电离剂量效应
机译:具有EOT = 1.2nm和最低SS = 63mV / dec的20–80nm沟道长度InGaAs全方位栅纳米线MOSFET
机译:单事件瞬态和总电离剂量对低于10 nm节点CMOS的III-V MOSFET产生影响。
机译:γ射线总电离剂量(TID)对Ag / AlO转换行为的影响X/ Pt RRAM设备
机译:摩尔分数变化和缩放对InGaAs MOSFET中总变异性的影响