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机译:使用磁力显微镜(MFM)和R–H循环分析表征MTJ细胞的域切换行为
Korea Sci. & Eng. Found., Daejeon;
aluminium compounds; chromium alloys; cobalt alloys; iron alloys; magnetic domains; magnetic force microscopy; magnetic storage; magnetic switching; magnetic tunnelling; manganese alloys; nickel alloys; platinum alloys; random-access storage; ruthenium; tantalum; R-H loop analysis; Ta-NiFeCr-PtMn-CoFe-Ru-CoFe-Alsub2/subOsub3/sub-CoFe-NiFe-Ta; domain switching; magnetic random access memory; magnetic tunnel junctions; Magnetic force microscopy (MFM); Magnetic random access memort (MRAM); magnetic force microscopy(MFM); magnetic random access memory (MRAM); magnetic tunneling junction (MTJ); vortex;
机译:使用磁力显微镜(MFM)分析与锌金属反应的Sm_2Fe_(17)N_3细颗粒(2-3μm)的畴结构(I)
机译:使用磁力显微镜(MFM)在SM_2FE_(17)中的域结构分析(17)N_3细颗粒(2-3μm)与Zn金属反应(i)
机译:压电响应力显微镜直接表征(Pb,La)TiO_3薄膜的纳米级畴转换和局部压电环
机译:使用磁力显微镜(MFM)和H-R循环分析MTJ细胞域切换行为的表征
机译:磁畴成像:洛伦兹透射电子显微镜和磁力显微镜之间的比较。
机译:通过热辅助自旋传递转矩(TAS + STT)切换的磁性隧道结(MTJ)的紧凑模型
机译:使用磁力显微镜(MFM)在SM2FE17N3细颗粒(2-3μm)中的域结构分析与Zn金属反应。 (一世)。