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机译:低温下的FET和HEMT-它们的特性并用于低噪声放大器
机译:用于子MW低温低噪声放大器的INP HEMTS
机译:超低功率应用的低温InAs / AlSb HEMT宽带低噪声中频放大器
机译:从C波段到X波段的GaAs HEMT低噪声低温放大器,噪声温度为0.7-K / GHz
机译:FET和HEMT在低温下的性质及其在低噪声放大器中的应用
机译:用于低噪声应用的铜/钛金属化GaAs MESFET和HEMT的制造,测试和可靠性建模。
机译:宽带低温微波低噪声放大器
机译:采用湿蚀刻氢钝化Inp HEmT器件的低噪声低温X波段放大器
机译:在32 GHz低温冷却HEmT低噪声放大器上