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机译:用于沉积高达40 GHz的高T / sub c /薄膜的衬底的介电性能
机译:脉冲激光沉积在Pt / Ti / SiO_2 / Si衬底上沉积CaCu_3Ti_4O_(12)薄膜和介电性能
机译:使用脉冲激光沉积(PLD)方法对沉积在不同单晶基板上的Y_(0.225)SR_(0.775)SR_(0.775)SR_(0.775)COO_3薄膜的结构,电介质,光学和电子性能。
机译:结构,光学,非线性光学,电介质特性和LA_(0.01)BA_(0.99)TiO_3,SM_(0.5)SR_(0.5)COO_3和SM_(0.5)SR_(0.01)BA_(0.01)BA_的电子结果 (0.99)使用脉冲激光沉积(PLD)技术在石英基板上生长的TiO_3薄膜
机译:高达40 GHz的高T / sub c /衬底的介电性能
机译:金属有机化学气相沉积法制备钽酸钽铌酸钾薄膜的结构,介电和光学性质
机译:多孔硅的介电特性用作140至210 GHz频率范围内毫米波器件的片上集成的基板
机译:外延Ba的磁介电性能(Fe 0.5 sum> Sn 0.5 sub>)O 3-Δ sub>薄膜(001)srtio 3 < /子>脉冲激光沉积基材
机译:用于高T(c)超导薄膜沉积的辐射基板加热:膜生长诱导的温度变化。 (重新公布新的可用性信息)