机译:使用格林函数法的多晶硅薄膜晶体管亚阈值分析和漏极电流建模
Hansraj College, University of Delhi, Delhi-110007, India;
Analytical modeling; poly-silicon (poly-Si) thin-film transistor (TFT);
机译:动态耗尽多晶硅薄膜晶体管的基于表面电势的漏极电流紧凑模型
机译:多晶硅薄膜晶体管的基于物理表面电势的漏极电流模型
机译:低温多晶硅薄膜晶体管中由漏雪崩热载流子引起的导通电流衰减的预测模型
机译:用于漏极场释放的高级多晶硅薄膜晶体管架构的比较分析
机译:通过晶粒增强技术形成的多晶硅薄膜晶体管的建模:金属诱导的横向结晶。
机译:有源层厚度不同的非晶InGaZnO薄膜晶体管中漏极电流应力引起的不稳定性
机译:单壁碳纳米管网络薄膜晶体管的简单漏极电流模型
机译:极浅水中频混响模拟:格林函数法及其在TREX2013数据分析中的应用。