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机译:考虑线性外部和非线性漏极-源极电容的E / F3类功率放大器的设计方法
Department of Electrical Engineering, Lorestan University, Khorramabad, Iran;
Department of Electrical Engineering, Kermanshah Branch, Islamic Azad University, Kermanshah, Iran;
Sumitomo Electric Europe, Elstree, U.K.;
Capacitance; Switches; Harmonic analysis; RLC circuits; MOSFET; Shunts (electrical); Power generation;
机译:在任何分级系数下均考虑MOSFET非线性漏极至源极电容和非线性栅极至漏极电容的E类功率放大器设计
机译:具有MOSFET线性栅极至漏极和非线性漏极至源极电容的E类放大器的设计
机译:具有任意分级系数的MOSFET非线性漏源寄生电容的E类ZVS功率放大器的分析,设计和实现
机译:具有MOSFET非线性栅极至漏极和非线性漏极至源极电容的E类逆变器的设计与分析
机译:微波应用中E类放大器的稳健设计方法。
机译:多载波LTE功率放大器的增强双非线性两箱行为模型
机译:具有任意占空比非线性寄生电容的E类功率放大器的分析与设计