机译:具有MOSFET线性栅极至漏极和非线性漏极至源极电容的E类放大器的设计
Graduate School of Advanced Integration Science, Chiba University, Chiba, Japan;
Class-E power amplifier; MOSFET drain-to-source nonlinear parasitic capacitance; MOSFET gate-to-drain parasitic capacitance; class-E ZVS/ZDS conditions;
机译:在任何分级系数下均考虑MOSFET非线性漏极至源极电容和非线性栅极至漏极电容的E类功率放大器设计
机译:具有任意分级系数的MOSFET非线性漏源寄生电容的E类ZVS功率放大器的分析,设计和实现
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