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机译:使用3-5 GHz范围内的薄压电板的声波器件的比较研究
Murata Mfg Co Ltd, Kyoto 6178555, Japan|Chiba Univ, Grad Sch Engn, Chiba 2638522, Japan;
Murata Mfg Co Ltd, Kyoto 6178555, Japan;
Murata Mfg Co Ltd, Kyoto 6178555, Japan;
Chiba Univ, Grad Sch Engn, Chiba 2638522, Japan;
Bulk acoustic wave (BAW); filter; Lamb wave; plate wave; resonator; surface acoustic wave (SAW);
机译:压电薄板中声波的功率流角
机译:压电薄板中声波温度系数延迟变化的新方法
机译:压电薄板中声波温度系数延迟变化的新方法
机译:具有高声阻抗材料反射器的非平面压电薄膜器件的表面声波传播研究
机译:射频反应磁控溅射在低温下沉积在硅上的压电氮化铝薄膜的声波器件特性
机译:Si / SiO2 / ZnO压电结构中多频表面声波器件的实验和理论研究
机译:基于压电薄膜器件激励的体声波的mEms传感器物理性能,性能及应用研究