机译:2微米气泡材料中Bloch行存储器读取操作的特性
机译:读/写操作对Bloch行存储器中单轴各向异性常数的依赖性
机译:硬气泡抑制层对Bloch行存储器中栅极操作的影响
机译:Bloch行存储器的主行气泡传播路径的操作
机译:2UM气泡材料中的斑点线存储器读取操作的特征
机译:气液固流化床中的气泡和气泡唤醒特性。
机译:电形成的界面层的影响以及包含AlOxGdOxHfOx和TaOx开关材料的IrOx /high-κx/ W结构的改进的存储特性
机译:1.5.mum的Quasistatic气泡传播在64M位磁气泡存储器件中离子注入轨道。