...
首页> 外文期刊>IEEE Transactions on Magnetics >Correlation between the spin disorder resistivity and crystal structure of thulium thin films
【24h】

Correlation between the spin disorder resistivity and crystal structure of thulium thin films

机译:自旋无序电阻率与of薄膜晶体结构的相关性

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
   

获取外文期刊封面封底 >>

       

摘要

An increase of the spin-disorder resistivity with decreasing film thickness has been observed in thulium thin films prepared in UHV. X-ray diffraction investigation in thinner films with thickness below /spl ap/100 nm revealed that this dependence is caused by a structural change.
机译:在以UHV制备的th薄膜中,观察到自旋无序电阻率随膜厚度的减小而增加。在厚度小于/ spl ap / 100 nm以下的较薄薄膜中进行X射线衍射研究表明,这种依赖性是由结构变化引起的。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号