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【24h】

Perpendicular Magnetization of Ta/Ru/Ta/Co/Fe/MgO Multilayer

机译:Ta / Ru / Ta / Co / Fe / MgO多层膜的垂直磁化

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摘要

Ta/Ru/Ta/Co/Fe/MgO film is studied to investigate the separate roles of Co and Fe in perpendicular magnetic anisotropy. Perpendicular magnetization is successfully obtained in this structure after a field annealing process (275 °C, 3 T, 30 min). Surface magnetic anisotropy at the Fe/MgO interface induces perpendicular magnetization for the Co/Fe bilayer with the critical contribution of the inserted Co. Magnetization properties resulting from the use of various Co and Fe layer thicknesses in the range of 0.36–0.6 nm (Co) and 0.52–0.91 nm (Fe) are analyzed, indicating the formation of a magnetic dead layer between the Co layer and the Ta seed layer. The maximum effective anisotropy energy is estimated as 1.63 105 J/m for Co (0.36 nm)/Fe (0.65 nm).
机译:研究了Ta / Ru / Ta / Co / Fe / MgO薄膜,以研究Co和Fe在垂直磁各向异性中的独立作用。经过场退火处理(275°C,3 T,30分钟)后,该结构成功获得了垂直磁化强度。 Fe / MgO界面处的表面磁各向异性引起Co / Fe双层的垂直磁化,这是插入的Co的关键作用。磁化特性是通过使用0.36-0.6 nm(Co )和0.52-0.91 nm(Fe)进行分析,表明在Co层和Ta籽晶层之间形成了一个磁死层。对于Co(0.36 nm)/ Fe(0.65 nm),最大有效各向异性能估计为1.63 105 J / m。

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