机译:基于GaN分布转移电子器件的平面波导THz振荡器的电磁物理数值建模
Univ Lille Univ Polytech Hauts de France CNRS Cent Lille Yncrea iSEN UMR 8520 iEMN F-59000 Lille France;
2-D time-domain electromagnetic physical numerical modeling; circuit design analysis; distributed transferred electron device (DTED); planar waveguide THz oscillator;
机译:太赫兹分布氮化镓转移电子器件的二维时域数值麦克斯韦/传输模型
机译:利用GaN中的弹道电子加速度的THz范围平面NDR器件
机译:用于GaN基光电器件的双AlGaN / GaN分布式布拉格反射器堆叠镜的设计与制造
机译:THz GaN分布式转移电子器件的二维Maxwell /传输时域建模
机译:透射电子显微镜探索GaN的电子器件的物理缺陷和降解机制
机译:基于发射器和接收器电子之间直接相互作用的近场低频电磁感应物理模型
机译:金属V型锥形波导中THZ波等级的原理和应用:THZ波的表面等离子体极化子作为电子和电磁波复合体系