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机译:SiN覆盖层对nMOSFET器件特性和热载流子降解的影响
Hot-electron effect; low-pressure chemical vapor deposition (LPCVD); nMOSFET; silicon nitride (SiN) capping; tensile strain;
机译:缓冲层和氢退火晶片对具有SiN覆盖层的应变沟道nMOSFET的性能的影响
机译:两阶段热载流子退化及其对亚微米LDD NMOSFET寿命预测的影响
机译:NMOSFET热载流子退化对CMOS模拟子电路性能的影响
机译:栅极氧化物厚度缩放对深微米肌射线热载体降解的影响
机译:蒙特卡洛研究了低功率深亚微米n-MOSFET中的热载流子退化和器件性能。
机译:TiOx活性层的多层堆叠顺序对忆阻器电阻开关特性的影响
机译:阴离子元素对纳米电子器件应用二维单层Janus Mosse电子和光学特性的影响