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A Bionics Chemical Synapse

机译:仿生化学突触

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摘要

Implementation of the current mode CMOS circuit for chemical synapses (AMPA and NMDA receptors) with dynamic change of glutamate as the neurotransmitter input is presented in this paper. Additionally, circuit realisation for receptor ${rm GABA}_A$ and ${rm GABA}_B$ with an electrical signal which symbolises $gamma$ -Aminobutyric Acid (GABA) perturbation is introduced. The chemical sensor for glutamate sensing is the modified ISFET with enzyme (glutamate oxidase) immobilisation. The measured results from these biomimetics chemical synapse circuits closely match with the simulation result from the mathematical model. The total power consumption of the whole chip (four chemical synapse circuits and all auxiliary circuits) is 168.3 $mu$W. The total chip area is 3 mm$^2$ in 0.35-$mu$m AMS CMOS technology.
机译:本文提出了以谷氨酸的动态变化为神经递质输入的化学突触(AMPA和NMDA受体)电流模式CMOS电路的实现。另外,接收器 $ {rm GABA} _A $ $ {rm GABA} _B $ 带有电信号,该信号表示 $ gamma $ -氨基丁酸(GABA)扰动用于谷氨酸传感的化学传感器是带有酶(谷氨酸氧化酶)固定化的改良ISFET。这些仿生化学突触电路的测量结果与数学模型的模拟结果非常吻合。整个芯片(四个化学突触电路和所有辅助电路)的总功耗为168.3 $ mu $ W。芯片总面积为3毫米<公式= inline“> $ ^ 2 $ ,以0.35- <公式Formulatype =” inline“> $ mu $ m AMS CMOS技术。

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