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机译:多量子阱中互扩散的时间演化:杂质诱导的成分互混的新模型
III-V semiconductors; aluminium compounds; chemical interdiffusion; focused ion beam technology; gallium arsenide; impurities; ion implantation; semiconductor device models; semiconductor quantum wells; AlGaAs; AlGaAs multiple quantum wells; Si; Si-focused ion beam;
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