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机译:变态DBR和隧道结注入。连续波RT单片长波长VCSEL
distributed Bragg reflector lasers; integrated optoelectronics; optimisation; semiconductor lasers; surface emitting lasers; tunnelling; 1 mW; 47 C; CW RT monolithic long-wavelength VCSEL; GaAs-AlAs; GaAs-AlAs distributed Bragg reflector; continuous wave; maximum op;
机译:变态DBR和隧道结注入。 CW RT单片长波长VCSEL
机译:1.3-μm掩埋异质结构VCSELS与MOCVD生长的GaAs / Algaas变质DBRS
机译:基于InP的1.3-1.6-μmVCSEL,在波长灵活平台上具有选择性刻蚀的隧道结孔
机译:1 mW CW RT 1.55 / spl mu / m隧道VCSEL:GaAs / AlAs变质镜的热和电特性
机译:来自澳大利亚中部斯特兰格和哈特山脉变质复合体的剪切带的地球年代学和热年代学。
机译:各种底部DBR设计对蓝色半导体金属亚波长光栅VCSEL的热性能的影响
机译:使用传统VCSEL的一半DBR开发的1.5μmVCSEL
机译:具有多个CW单模注入的饱和脉冲染料放大器中的边带生成。