机译:半导体激光器特征温度T / sub 0 /的理论研究
Ortel-A Div., Alhambra, CA, USA;
quantum well lasers; Debye temperature; carrier density; k.p calculations; electron-hole recombination; spontaneous emission; energy gap; current density; temperature dependence; characteristic temperature; semiconductor quantum-well lasers; optical gain; nonradiative recombination; gain model; k/spl middot/p theory; multiple quantum wells; thermally activated Auger process; continuum state filling; interband mixing; band nonparabolicity; ideal linear carrier density; dimensional rate equation; leakage current; spontaneous emission coefficient; 980 nm; 1.3 micron; 1.55 micron;
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