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机译:大功率高效1150 nm量子阱激光器
III-V semiconductors; gallium arsenide; indium compounds; laser reliability; laser transitions; optical design techniques; quantum well lasers; waveguide lasers; 1150 nm; GaAs; GaAs waveguide layers; InGaAs; InGaAs quantum wells; edge emitting diode lasers; quantum-we;
机译:低阈值电流,高效1.3- / splμm/ m波长,不含铝的InGaAsN基量子阱激光器
机译:高功率半导体量子阱激光器的性能下降
机译:1200 nm范围内的高功率广域InGaNAs / GaAs量子阱激光器
机译:具有适中宽面积激光二极管的广义速率等式模型及其在具有选择量子阱混合的高功率激光器中的应用,用于改进光束质量
机译:ovel基于InP的高功率,高效率,单量子阱(SQW)有源区二极管激光器,发射功率为1.5微米。
机译:高功率光动力疗法(HLLT)功效的体外初步研究:脉冲二极管激光器和超脉冲二极管激光器之间的比较以及过氧化氢的受控稳定作用
机译:使用扩散量子阱结构的DFB和Fp激光器中的高功率单模操作
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