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机译:Si衬底上的III–V纳米线:选择性区域生长和器件应用
Japan Science and Technology Agency, Tokyo, Japan;
Field-effect transistor (FET); III–V on Si; light-emitting diode (LED); metal–organic vapor phase epitaxy (MOVPE); nanowires (NWs); selective-area growth (SAG);
机译:通过选择性区域生长将III-V纳米线晶体管集成在Si衬底上的最新进展
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